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數(shù)據(jù)顯示:到2027年半導(dǎo)體CMP輔助設(shè)備細(xì)分市場規(guī)模將達(dá)到15.5億美元 年復(fù)合增長率為6%

2023-02-18 23:01:12   作者:   來源:愛集微   評論:0  點(diǎn)擊:


  近日,電子材料咨詢公司TECHCET數(shù)據(jù)顯示,2027年半導(dǎo)體CMP輔助設(shè)備(墊調(diào)節(jié)器、CMP 環(huán)、過濾器和刷子)細(xì)分市場規(guī)模將達(dá)到15.5億美元,年復(fù)合增長率為6%。

  TECHCET首席策略師Karey Holland指出,預(yù)計(jì)2023年芯片需求下滑,再加上去年開始不斷增加的存儲(chǔ)芯片庫存,導(dǎo)致該市場將下滑2.2%。他預(yù)計(jì)芯片需求放緩將在2024年之前恢復(fù)。

  Karey Holland表示,CMP輔助設(shè)備市場的未來增長在很大程度上受到每一代新設(shè)備(包括邏輯和存儲(chǔ)器)對更多 CMP 工藝步驟的需求的影響。” 目前,F(xiàn)inFET晶體管需要大約41個(gè)CMP步驟。2堆棧3D NAND有大約28個(gè)CMP工藝步驟,另外8個(gè)額外的CMP步驟將隨著3D NAND制造商過渡到下一代節(jié)點(diǎn)而增加。

  GAA/Nanosheet ForkSheet等新邏輯節(jié)點(diǎn)的技術(shù)發(fā)展為CMP帶來了新的挑戰(zhàn),使用更薄的層并需要更好的厚度控制和新材料。這會(huì)給過濾器和濾墊調(diào)節(jié)器帶來額外的負(fù)擔(dān)。鈷、釕、鉬和鋯等新材料將迫使晶圓廠重新審視CMP擁有成本,因?yàn)檫@些新材料和工藝將影響使用壽命和用于輔助設(shè)備的材料類型,如墊調(diào)節(jié)器、過濾器和刷子。例如,隨著電介質(zhì)層變薄,對較低表面粗糙度的需求推動(dòng)了對納米二氧化鈰漿料的需求,這也可能需要新型漿料過濾器。

  TECHCET預(yù)計(jì)在需求高增長的地區(qū)將有更多的分布式生產(chǎn),以幫助抵消未來因芯片產(chǎn)能擴(kuò)張而出現(xiàn)的供應(yīng)延遲。此外,新的生產(chǎn)設(shè)施預(yù)計(jì)將在亞利桑那州和德克薩斯州從頭開始建造,以支持臺(tái)積電和三星的新廠擴(kuò)張。

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